是时候还尹志平一个公道了：没有玷污小龙女，是个好人

(b)在700ºC温度下退火ZIF-8颗粒获得的样品的CV曲线：候还好人扫描速率为0.1mVs-1，扫描范围0-3V。

这些共聚物能够自组装成不同的纳米结构，尹志如纳米毛细管、尹志空心球纳米结构、超螺旋纳米管和核-壳纳米粒子等，而且导电聚乙炔嵌段是包裹在绝缘聚降冰片烯嵌段中的，有利于制备聚合物分子复合材料以进一步改善介电性能。通过调节TAD进料量可以对嵌段共聚物进行可控修饰，玷污使得在壳中的聚降冰片烯骨架上首先发生TAD与双键的Alder-ene反应，玷污然后在核中带有五元环的聚乙炔（PA）主链上发生级联Alder-ene和Diels-Alder反应。

小龙图6聚合物薄膜改性前后的介电常数和介电损耗的频率依赖性(a)在室温下测量不同FTAD含量的聚合物薄膜改性前后的介电常数的频率依赖性。候还好人(e,f)(PTNP50-25%FTAD)-b-PSHD25的TEM图像。尹志图5PTNP50-b-PSHD25和(PTNP50-25%FTAD)-b-PSHD25的TEM图像(a-c)PTNP50-b-PSHD25的TEM图像。

玷污(b)嵌段共聚物的合成及其TAD改性。1,2,4-三唑啉-3,5-二酮（TAD）是一种典型的极性分子，小龙然而目前基于TAD的点击化学反应很少用于修饰自组装，尤其是全聚合物纳米结构。

当利用FTAD改性共聚物后，候还好人介电常数从16.2增加到20.3，而介电损耗从0.031降低到0.009。

研究发现，尹志含有不同量的脲唑基团的改性嵌段共聚物展现出增强的介电常数（16.2到20.3）和更低的介电损耗（从0.031到0.009）。系统应用方面，玷污当贝PadGO搭载被誉为大屏iOS的当贝OS，该系统不仅是当贝智能硬件产品的杀手锏，也深受三星、索尼、LG等全球知名厂商认可。

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